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pco制冷背照式sCMOS相机,4M,VIS/UV/X-RAY,USB3.1
pco.edge 4.2 bi/bi UV
具有冷却背照式sCMOS的***技术,强感光至紫外波段
当久经考验且值得信赖的 pco.edge 系列将性能与现代背照式 (bi) 传感器技术相结合时,pco.edge 4.2 bi 便应运而生。
可调节的冷却系统允许使用风冷或水冷将传感器冷却至-25 °C。在此温度下,暗电流降低到0.2 e-/pixel/s。
根据应用,可以选择专用于UV或VIS 范围的输入窗口。高分辨率和6.5 x 6.5 μm² 像素尺寸保证了量子效率高达 95%的高质量图像。pco.edge 4.2 bi结合了强大的USB 3.1 接口来补充其性能。
主要特点
pco.edge 4.2 bi XU
针对 EUV 和软 X 射线应用进行了优化
pco.edge 4.2 bi XU 基于背照式 sCMOS 传感器,具有非常特殊的涂层,允许在可见光至极紫外 (EUV) 和软 X 射线下应用。该相机适用于超高真空操作,并使用能量范围为 30 eV 至 1000 eV 的软 X 射线进行了表征。该图像传感器具有 2048 x 2048 像素,像素尺寸为 6.5 µm x 6.5 µm,允许在 48 Hz 下进行全帧采集,动态范围为 88 dB,噪声水平为 1.9 e-。该相机结构紧凑,并提供各种软件集成选项。
主要特点
| 型号 | edge 4.2 bi | edge4.2 bi uv | edge 4.2 bi xu |
| 芯片类型 | 背照式sCMOS | ||
| 颜色 | M | ||
| 分辨率pixels | 2048×2048 | ||
| 像素尺寸μm | 6.5 | ||
| 芯片尺寸mm | 13.3×13.3/18.8D | ||
| QE | 95%@580nm | 89%@580nm 48%@240nm | 92%@2.28nm |
| 响应光谱nm | 370-1100 | 190-1100 | 1-1100 |
| 数据接口 | USB3.1 | ||
| 帧频fps | 40 | ||
| 读出噪声 e med | 1 | 1.9 | |
| 暗电流e/p/s | 0.2@-25℃ | ||
| 制冷 | (风冷&水冷) | ||
| 曝光方式 | RS | RS,GR, | |
| 曝光时间 | 10μs~20s | ||
| 满阱e | 48000 | ||
| 附加功能 | lightsheet scanning mode | ||
| 位深bit | 16 | ||
| 光学接口 | F&C | CF100-flange | |
| 外形尺寸mm | 109×85×80 | 152×152×99 | |
| 重量 | 920g | ||

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