pco.edge 4.2 bi系列

pco.edge 4.2 bi/bi UV
具有冷却背照式sCMOS的***技术,强感光至紫外波段

当久经考验且值得信赖的 pco.edge 系列将性能与现代背照式 (bi) 传感器技术相结合时，pco.edge 4.2 bi 便应运而生。

可调节的冷却系统允许使用风冷或水冷将传感器冷却至-25 °C。在此温度下，暗电流降低到0.2 e-/pixel/s。

根据应用，可以选择专用于UV或VIS 范围的输入窗口。高分辨率和6.5 x 6.5 μm² 像素尺寸保证了量子效率高达 95%的高质量图像。pco.edge 4.2 bi结合了强大的USB 3.1 接口来补充其性能。

主要特点

• 190 nm - 1100 nm光谱范围（edge 4.2 bi UV）
  
  
• 背照式 16 位 sCMOS 成像芯片技术
  
  
• 冷却可调节至 -25 °C， 风冷和水冷
  
  
• 高分辨率 2048 x 2048 像素
  
  
• 像素尺寸6.5 x 6.5 µm²
  
  
• 量子效率高达 95 %
  
  
• ***帧速率 40 fps @ 全分辨率
  
  
• 动态范围 26667 : 1
  
  
• ***暗电流（典型值） 0.2 e-/pixel/s
  
  
• 卷帘快门
  
  
• 曝光时间从 10 μs 到 20 s
  
  
• USB 3.1 Gen1 接口
  
  

pco.edge 4.2 bi XU
针对 EUV 和软 X 射线应用进行了优化

pco.edge 4.2 bi XU 基于背照式 sCMOS 传感器，具有非常特殊的涂层，允许在可见光至极紫外 (EUV) 和软 X 射线下应用。该相机适用于超高真空操作，并使用能量范围为 30 eV 至 1000 eV 的软 X 射线进行了表征。该图像传感器具有 2048 x 2048 像素，像素尺寸为 6.5 µm x 6.5 µm，允许在 48 Hz 下进行全帧采集，动态范围为 88 dB，噪声水平为 1.9 e-。该相机结构紧凑，并提供各种软件集成选项。

主要特点

• 高空间分辨率：2048 x 2048 像素
  
  
• 像素尺寸：6.5 µm x 6.5 µm
  
  
• 低读出噪声：1.9 e-
  
  
• 非常适合 EUV 和软 X 射线应用
  
  
• 能量范围 30 至 1000 eV 的高 QE
  
  
• 可用于低至 1 x 10^7 mbar 的真空